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2017年7月11日 プレスリリース

世界初、TSV技術を適用した3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」の開発について

BiCS FLASH™

当社は、世界で初めて注1TSV注2技術を用いた3ビット/セル(TLC)の3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」を試作し、2017年6月から開発用に試作品の提供を開始しました。製品のサンプル出荷は2017年中を予定しています。また、試作品は8月7日から10日まで米国サンタクララで開催される「Flash Memory Summit 2017」で参考展示します。

TSV技術は、複数のチップの内部を垂直に貫通する電極を用いることにより、データ入出力の高速化と消費電力の低減が可能となり、当社は2次元のNAND型フラッシュメモリへの適用実績があります注3

今回、48層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリに適用することで、書き込みバンド幅と低消費電力性能の向上に成功し、電力効率注4がワイヤボンディングを用いた製品との比較で約2倍注5に向上しました。また、512ギガビットのチップをひとつのパッケージ内に16段積層することにより総容量1テラバイトの大容量化を実現しました。

当社は、今後TSV技術を用いた3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」の製品化を目指し、アクセス遅延時間の低減、データ転送速度の高速化、単位消費電力あたりの高いIOPS注6が必要なエンタープライズSSD、フラッシュストレージなどのアプリケーションに大きく貢献します。

試作品の主な仕様

パッケージタイプ NAND Dual x8 BGA-152
記録容量 512 GB 1 TB
積層数 8 16
外形寸法 W 14 mm 14 mm
D 18 mm 18 mm
H 1.35 mm 1.85 mm
インターフェース規格 Toggle DDR
インターフェース最大速度 1066Mbps

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