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2018年3月20日 プレスリリース

64層積層3次元フラッシュメモリを搭載したデータセンター向けSSDのラインアップ拡充について

64層積層3次元フラッシュメモリを搭載したデータセンター向けSSD

当社は、64層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリを搭載したデータセンター向けSSDとして、NVM Express™ (NVMe™)インターフェースに対応した「CD5シリーズ」と「XD5シリーズ」、SATAインターフェースに対応した「HK6-DCシリーズ」を立ち上げ、2018年第2四半期(4月~6月)以降、限定顧客向けに順次サンプル出荷を開始する予定です。新製品は、NoSQLデータベースや大規模データ分析、ストリーミングメディアなどの読み出しアクセスを多用するアプリケーション向けのSSDで、低消費電力と高性能の両立を求めるクラウドデータセンターに適しています。

新しいラインアップは、当社の64層積層3ビット/セル(TLC)3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」を搭載しています。さらにそれと自社で設計、開発したコントローラーを組み合わせることにより、柔軟なカスタマーサポートを実現しています。

PCIe® NVMe SSDの2シリーズは、複数のデータセンターワークロードのプロファイルを調査し、それらとの適合性を高めて設計されています。「CD5シリーズ」は、2.5型のフォームファクタで960GBから7.68TB[注1]までの容量ラインアップをそろえ、ランダムリード性能最大500,000IOPS、ランダムライト性能最大35,000IOPS[注2]とシーケンシャルリード性能最大3,140 MB/s[注3]、シーケンシャルライト性能最大1,980MB/sを9-14Wの消費電力で実現します。「XD5シリーズ」は、小型のM.2 22110 フォームファクタで最大3.84TBまでの容量ラインアップをそろえ、シーケンシャルリード性能最大2,600MB/s、シーケンシャルライト性能最大890MB/sを消費電力7Wで達成します。オープンコンピュートプロジェクト(OCP)やハイパースケール、クラウドアプリケーション用に、リードインテンシブ用途のワークロードにおける低レイテンシと大量データ転送性能の両立を図っています。

「HK6-DCシリーズ」は6Gbit/sのSATA SSDで、960GB、1.92TB、3.84TBの容量ラインアップをそろえ、ランダムリード性能最大85,000IOPS、ランダムライト性能最大16,000IOPSおよび、シーケンシャルリード性能最大550MB/s、シーケンシャルライト性能最大500MB/sを実現します。

さらに新製品には、突然の電源遮断に対してのデータ保護機能および、暗号消去サポート(SIE)[注4]機能を搭載しています[注5]

当社は、今後も業界をリードする最先端フラッシュ技術を採用したストレージソリューションの提供を通じて、拡大するデータセンター市場の発展に貢献していきます。

*NVMe、NVM ExpressはNVM Express, Inc.の商標です。
*PCIeは、PCI-SIGの登録商標です。
*その他、本文に掲載の製品名やサービス名は、それぞれ各社が登録商標または商標として使用している場合があります。

*本資料に掲載されている情報(製品の仕様、サービスの内容およびお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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